首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH THE P-TYPE CLAD LAYER AND THE ACTIVE LAYER ARE GROWN AT DIFFERENT RATES
摘要
申请公布号 US5190891(A) 申请公布日期 1993.03.02
申请号 US19910710483 申请日期 1991.06.05
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 YOKOTSUKA, TATSUO;TAKAMORI, AKIRA;NAKAJIMA, MASATO;SUZUKI, TOMOKO
分类号 H01L33/00;H01S5/30;H01S5/323 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com