发明名称 Process for forming transparent silicon carbide films
摘要 A process for forming a transparent silicon carbide film on substrates by magnetron sputtering a silicon carbide target in a partial vacuum having a partial pressure of hydrogen and argon.
申请公布号 US5190631(A) 申请公布日期 1993.03.02
申请号 US19920898171 申请日期 1992.06.12
申请人 THE CARBORUNDUM COMPANY 发明人 WINDISCHMANN, HENRY;FISCHER, GEORGE
分类号 C23C14/06 主分类号 C23C14/06
代理机构 代理人
主权项
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