发明名称 |
Process for forming transparent silicon carbide films |
摘要 |
A process for forming a transparent silicon carbide film on substrates by magnetron sputtering a silicon carbide target in a partial vacuum having a partial pressure of hydrogen and argon.
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申请公布号 |
US5190631(A) |
申请公布日期 |
1993.03.02 |
申请号 |
US19920898171 |
申请日期 |
1992.06.12 |
申请人 |
THE CARBORUNDUM COMPANY |
发明人 |
WINDISCHMANN, HENRY;FISCHER, GEORGE |
分类号 |
C23C14/06 |
主分类号 |
C23C14/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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