发明名称 GRABADO QUIMICO DE INDIO METALIZADO AL VACIO
摘要 La presente invención se refiere a un proceso para faabricar un artículo metalizado al vacío, resistente a la corrosión, en el que una superficie de substrato dieléctrico tiene depositado al vacío un metal corrosivo y en donde la deposición al vacío del metal continua solo hasta que haya formación de islas discretas del metal, que aparecen visualmente como una película contínua, mientras que tiene canales entre islas discretas para mantener eléctricamente no conductora a la película sobre el substrato, la mejora se caracteriza porque comprende: atacar químicamente el material depositado al vacío con un solvente, que disuelve residuos de metal de los canales, para liberar los canales a fin de exponer las superficies de unión limpias en el substrato en la base de los canales y aplicar un sobrerevestimiento dieléctrico protector resinoso y claro, a ambas superficies de las islas discretas y a las superficies de unión limpias y secar el sobrerevestimiento para formar una película protectora que encapsula a las islas discretas y unidas al substrato en la base de los canales por una fuerza de unión a través de la extensión superficial de la base de canal, mayor que dos órdenes de magnitud en resistencia, en comparación con la fuerza de unión entre el sobrerevestimiento y las islas discretas.
申请公布号 MX167079(B) 申请公布日期 1993.03.02
申请号 MX19880010337 申请日期 1988.02.08
申请人 DAVIDSON TEXTRON INC. 发明人 RICHARD C. EISFELLER
分类号 C23C14/14;B05D5/06;B32B9/00;B32B15/04;B32B15/08;C23C14/20;C23C14/58;C23F1/00;C23F1/40;(IPC1-7):C03C15/00;C03C25/06;C23F1/02 主分类号 C23C14/14
代理机构 代理人
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