利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法

摘要

提出了一种生产硅棒的丘克拉斯基法，其中单晶硅棒从盛在与之共轴的坩埚内的硅熔体中拉出，硅棒和坩埚沿其轴以相反方向旋转，在硅棒生长期间其转速大于坩埚转速，坩埚转速随棒长度的增加而增加；在硅熔体上施加基本沿棒轴旋转对称的磁场，直到一定比例的硅烷体固化为止，磁场具有垂直贯穿坩埚的底和侧壁的分量和垂直贯穿硅熔体表面的分量，垂直贯穿熔融硅表面的平均磁场分量约为0，而垂直贯穿坩埚底和侧壁的磁场分量的强度随硅熔体固化比例的增加而减小。

主权项

1、一种生产预定直径单晶硅棒的丘克拉斯基法，其中单晶硅棒从盛在坩埚中的硅熔体中拉出，单晶硅棒与坩埚同轴，该方法包括如下步骤：使晶棒与坩埚沿其轴以相反方向旋转，晶棒的转速大于坩埚转速；在硅熔体上施加沿棒轴基本上呈轴对称的磁场，直到一定比例的硅熔体固化为止；所述磁场具有垂直贯穿坩埚底和侧壁的分量和垂直贯穿熔融硅表面的分量，垂直贯穿底和侧壁的平均磁场分量大于垂直贯穿熔融硅表面的平均磁场分量；其特征在于，在达到预定的单晶棒直径后，随着硅熔体固化比例的增加而增大坩埚的转速并降低磁场强度。