半导体装置

摘要

本发明乃有关利用电子之干扰效果之半导体装置，而适用于各种之量子干扰装置极为适宜者。本发明之目的乃在提供：可实现在室温中亦可动作之ＡＢ效果电晶体及其他之量子干扰装置之半导体装置者。本发明之特征乃在利用电子之干扰效果之半导体装置中；由于被构造成电子飞越（transit）于真空中，使其可实现在室温中亦能动作之ＡＢ效果电晶体及其他之量子干扰装置者。

主权项

1﹒一种半导体装置,主要在利用电子之干扰效果之半导体装置中;其特征为:被构造成上述电子乃在真空中飞越(transit)者。2﹒如申请专利范围第1项所述之半导体装置中;作为发生上述电子所用之电子源(etectronsource),乃使用电场辐射电子源者。3﹒如申请专利范围第1项所述之半导体装置中;作为发生上述电子所用之电子源,乃使用由非平衡晶体生长法所形成之电场辐射电子源者。图示简单说明第1图乃为表示本发明之一实施例之AB效果电晶体构成之断面图,第2图乃表示本发明之一实施例之AB效果电晶体之构造例之断面图,第3图A-第3图D乃为以工程顺序说明第2图所示AB效果电晶体之制造方法之断面图,第4图乃为说明线状之电场辐射电子源之形成方法之斜视图,第5图则为说明点状之电场辐射电子源之形成方法之斜视图。