| 主权项 |
1﹒一种触媒组成物,其包括至少一个选自于由钯, 铑和铂所组成之族之Ⅷ族 金属沈积在一多孔性载体材料上,其特性在于该包 含有硅藻土,氮化铝或 活性碳的多孔载体的孔径分布使得至少百分之95 的孔体积系由直径大于 5Onm(500A)的孔所界定,并且金属表面积对载体表面 积的比在 0﹒07─0﹒75:1的范围内。 2﹒如申请专利范围第1项所述之触媒组成物,其中 该载体至少百分之90的 孔体积系由直径大于100nm(1000A)的孔所构成,且金属 对载 体表面积的比在0﹒1─0﹒5:1的范围内。 3﹒如申请专利范围第1项所述之触媒组成物,其中 该载体材料包含硅藻土, 其所具孔径分布中有至少百分之90孔体积系由直 径大于1,000nm (10,000A)的孔所组成。 4﹒如申请专利范围第1或2或3项所述之触媒组成物 ,其中该载体材料包括 氧化铝,该氧化铝中百分之90的孔体积系由直径大 于1OOnm(1, 00OA)的孔所组成。 5﹒如申请专利范围第1.2或3项所述之触媒组成物, 其中该载体材料包括 活性碳,其百分之百的孔体积由直径大于500A的孔 所界定。 6﹒一种不饱和聚合材料的氢化方法,其包括在一 触媒之存在下令含有至少一 个碳─碳双键的不饱和聚合材料与氢接触,该触媒 包括至少一个Ⅷ族金属 沈积在一多孔性载体上,该载体的孔径分布使得至 少百分之95的孔体积 系由直径大于50nm(500A)的孔所组成,且该触媒的金 属表面积 对载体表面积的比値在0﹒07─0﹒75:1的范围内7﹒ 如申请专利 范围第6项所述之方法,其中,该载体的孔径分布为 至少百分之90的孔 体积系由直径大于100nm(1,000A)的孔所组成。 8﹒如申请专利范围第6或7项所述之方法,其中,该 触媒的金属表面积对载 体表面积的比値在0﹒1─0﹒5:1的范围内。 9﹒如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该Ⅷ族 金属为钯、铂或铑,该 多孔载体包括硅藻土,氧化铝或活性碳,以及该聚 合材料包括聚丁二烯, 苯乙烯─丁二烯共聚物,苯乙烯─丁二烯─苯乙烯 三段共聚物或苯乙烯─ 异戊二烯─苯乙烯三段共聚物。 10﹒如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该硅 藻土的孔径分布为至少 百分之90的孔体积系由直径大于1,OO0nm(1O,000A) 的孔所组成。 11﹒如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该氧 化铝的孔径分布为至少 百分之90的孔体稙系由直径大于1,000A的孔所组成 。 12﹒如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该活 性碳的孔径分布特性为 至少百分之90的孔体积由直径大于50nm(5O0A)的孔所 组成 。 |
