COMPOSICION EPITAXIAL Y PROCEDIMIENTO MEJORADO PARA SU PREPARACION

摘要

La presente invención se refiere a un método para hacer crecer en un reactor una capa epitaxial del Grupo II-VI a través de un substrato cristalino o por encima de un substrato cristalino que tiene una o más capas epitaxiales sobre el mismo, consistiendo el método de los pasos de: i)colocar el substrato sobre un susceptor que se caliente a una temperatura predeterminada; ii) dirigir un flujo de por lo menos un componente del Grupo II vaporizado hacia el substrato; iii) dirigir un flujo de un compuesto metal-orgánico del Grupo VI vaporizado hacia el substrato; y iv) hacer reaccionar el flujo dirigido del componente del Grupo II y del compuesto metalorgánico del Grupo VI para formar la capa epitaxial, estando la mejora caracterizada porque consiste de usar como el compuesto metalorgánico del Grupo VI, un compuesto de telurio de la fórmula: en donde R1 y R2 son, independientemente hidrógeno o alquilo de 1 a aproximadamente 4 átomos de carbono.