PHOTODETECTEUR A L'ANTIMONIURE D'INDIUM (INSB) POUR RADIATIONS VISIBLES ET INFRAROUGES, COMPORTANT UNE SURFACE PHOTORECEPTRICE SANS EFFET D'ECLAIR.

摘要

On nettoie la surface photo-réceptrice ou surface arrière (22) du substrat 12 d'un dispositif photodétecteur (10) à l'antimoniure d'indium (InSb) pour en éliminer tous les oxydes d'indium et d'antimoine. Puis on forme sur cette surface des couches (26, 28) de passivation et/ou de blocage partiel de la lumière visible, en un matériau qui ne réagit pas avec l'InSb au point de former une structure qui comporterait des pièges à porteurs et provoquerait l'effet d'éclairs. La longueur d'onde de coupure optique et l'épaisseur de la couche (28) de blocage partiel de la lumière visible sont choisies de façon à supprimer l'effet d'avalanche dans le dispositif (10) aux longueurs d'ondes visibles. Il est ainsi possible au dispositif (10) de fonctionner efficacement sur un large intervalle de longueurs d'ondes, comprenant les bandes visibles et infrarouges. Les couches (26, 28) de passivation et/ou de blocage partiel de la lumière visible peuvent être constituées de couches minces d'un semi-conducteur tel que le germanium, ou le dioxyde de silicium et/ou le nitrure de silicium, avec ensuite une couche de silicium assurant le blocage partiel de la lumière visible.