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发明名称
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号
KR930000816(B1)
申请公布日期
1993.02.05
申请号
KR19900003603
申请日期
1990.03.17
申请人
TOSHIBA CO., LTD.;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
YOSHIZAWA, MAKOTO;MORI, KATSUAKI;NAKASHIRO, TAKESHI;MARUYAMA, TADASHI
分类号
G11C17/00;G11C16/04;G11C16/26;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C17/00
主分类号
G11C17/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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