摘要 |
<P>Circuit de commande d'amplificateur de lecture (50) pour commander la tension appliquée à un amplificateur de lecture (70) et à une cellule de mémoire en fixant la tension à un niveau donné. Le circuit de commande d'amplificateur de lecture étant alimenté par la tension délivrée à l'amplificateur de lecture (70) et à la cellule de mémoire et produisant la tension de sortie vers la grille du pilote d'amplificateur de lecture (61), comprend: un comparateur (50A), un circuit de changement de niveau (50B), un circuit à déclenchement (50D), un circuit de commande de pilote (50F) et un circuit de polarisation (50E). La tension délivrée à l'amplificateur de lecture (70) et à la cellule de mémoire possède une pente montante appropriée, et après avoir atteint le niveau donné, le circuit de commande commande le niveau pour qu'il soit maintenu en permanence. Par conséquent, le mauvais fonctionnement d'un circuit intégré et le bruit d'alimentation est réduit, pour améliorer ainsi la fiabilité d'un dispositif de mémoire à semiconducteurs.</P>
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