HIGH TEMPERATURE REFRACTORY SILICIDE RECTIFYING CONTACT AND METHOD FOR MAKING SAME

摘要

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une couche diamantée semi-conductrice (20), (par exemple, un diamant monocristallin ou polycristallin), une couche de siliciure de métal réfractaire (30) contiguë à la couche diamantée (20) er formant avec celle-ci un contact redresseur, et une zone d'interface recuite (40) située entre la couche diamantée (20) et la couche de siliciure de métal réfractaire (30). La zone d'interface recuite (40) est de préférence une interface progressive comprenant une matière choisie dans le groupe se composant de carbure de silicium, de carbure du métal réfractaire et des mélanges de ceux-ci. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un contact redresseur sur une couche diamantée semi-conductrice (20) comprenant les étapes de formation du siliciure de métal réfractaire (30) sur la couche diamantée (20), et de recuit du siliciure de métal réfractaire (30) et de la couche diamantée (20). De préférence, la phase de recuit comprend l'étape consistant à chauffer la couche diamantée et le siliciure de métal réfractaire à une température d'au moins environ 450 °C.