发明名称 | 倾角附加吸收区型超辐射发光管 | ||
摘要 | 本发明为一种双异质结发光管。这种发光管是在双异质结半导体激光器的基础上采用电极条和镜面成一定倾斜角再加上一段吸收区的方法来抑制激射的产生,从而形成单程增益的超辐射发光管。其优点是激射抑制能力强,可以形成较大电流、功率范围的超辐射发光,有较低的光谱调制深度;可减少工艺难度,提高成品率,节约外延片。 | ||
申请公布号 | CN1068682A | 申请公布日期 | 1993.02.03 |
申请号 | CN92103592.6 | 申请日期 | 1992.05.19 |
申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 杜国同 |
分类号 | H01L33/00;H01S3/19 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 吉林大学专利事务所 | 代理人 | 王恩远 |
主权项 | 1、一种由在半导体材料衬底上外延生长的多层异质结构成的半导体发光管,其中有一层或多层形成有源区,在有源区内载流子复合产生辐射发射,为抑制激射,电极条和镜面成一定的倾斜角,本发明的特征在于附加一段没有载流子注入的吸收区。 | ||
地址 | 130023吉林省长春市朝阳区解放大路83号 |