| 主权项 |
1.一种经一第一物质层形成一通道之方法,该第一 物质层 覆于第二物质上,包含:于所述第一层上形成一可 侧向浸 蚀之面罩,而于所述面罩在所要通道位置具有一开 窗;环 绕所述开窗将面罩物质侧向浸蚀以扩大所述开窗, 而与之 同时浸蚀经所述开窗露出之所述第一层物质,所述 第一层 被浸蚀部份于所述面罩被侧向浸蚀部份之底下区 域具有一 倾斜,该倾斜角度由所述面罩与第一层所选择材料 、浸蚀 条件、及最初开窗倾斜所决定;所述第一层包含一 介电质 ,而所述第二层包含一导体;以及在所述介电层与 所述可 浸蚀面罩间于所述通道之侧方区域形成一不可浸 蚀面罩, 而以所述不可浸蚀面罩,在定位来形成所述通道, 被形成 后去除所述不可浸蚀面罩与任何可浸蚀面罩之留 存部份, 及于所述介电层在至少所述不可浸蚀面罩被去除 区域之部 份上形成一第二导体层,所述不可浸蚀面罩于所述 浸蚀步 骤中防止可浸蚀面罩之缺陷经不可浸蚀面罩复制 到介电层 内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述介电 质被蚀穿 过所述导体区域,其为该介电质被原来面罩开窗所 露出部 份底下。3.如申请专利范围第2项之方法,其另包含 沈积一导体物 质层于所述通道之倾斜壁上而与所述导体层接触 之步骤, 所述壁之倾斜度经选择使导体物质之沈积具有大 致均匀宽 度。4.如申请专利范围第3项之方法,其另包含以一 大致类似 程序于至少一类似之层状结构内形成一类似通道 之步骤, 所述层状结构经堆叠使其各自之通道为垂直对正 并电连接 。5.如申请专利范围第2项之方法,其中所述可浸蚀 面罩与 介电层之厚度经选择使所述介电层被蚀穿至所述 导体层, 同时所述可浸蚀面罩之一部份留存在所述介电层 上。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述不可 浸蚀面罩 具有一开窗环绕该通道,其大于该通道最后被浸蚀 之区域 。7.如申请专利范围第6项之方法,其中所述第二导 体层延 伸到所述通道内并被覆其壁,另包含以投影光蚀刻 版法对 所述第二导体层施作图案之步骤,使所述通道与至 少部份 第二导体层电隔离,后者为覆于至少所述不可浸蚀 面罩被 去除之所述区域之部份上。8.如申请专利范围第1 项之方法,其中所述不可浸蚀面罩 由一金属构成。9.如申请专利范围第1项之方法,其 中所述面罩物质与第 一层物质由反应性离子蚀刻所浸蚀。10.如申请专 利范围第1项之方法,其中所述通道对所述第 二物质层面之倾斜角度为在15至45之范围内。11. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述通道形成 一大 致为碗状之剖面。12.一种经一介电层形成一通道 之方法,该介电层覆于一 导电层上,包含:于所述介电层上形成一抗光蚀层; 于抗 光蚀层在所要通道位置上开启一倾斜开窗;同时蚀 刻所述 抗光蚀层与介电层被所述开窗所露出部份,蚀刻参 数,所 述介电层与抗光蚀层物质,及所述开窗之倾斜度经 选择使 所述蚀刻进行时,所述开窗扩大且逐渐露出所述介 电层之 额外部份,从而经所述介电层蚀刻一通道,其具有 所要倾 斜度之壁;以及在所述介电层与所述抗光蚀层间于 所述通 道之侧方区域形成一抗蚀面罩,而以所述抗蚀面罩 在定位 来形成所述通道,于所述通道被形成后去除所述抗 蚀面罩 与任何抗光蚀层之留存部份,及于所述介电层上在 至少所 述抗蚀面罩被去除区域之部份上形成一第二导体 层,所述 抗蚀面罩于蚀刻中防止抗光蚀层之缺陷经抗蚀面 罩复制到 介电层内。13.如申请专利范围第12项之方法,其中 所述抗蚀面罩具 有一开窗环绕该通道,其大于该通道最后被蚀刻之 区域。14.如申请专利范围第13项之方法,其中所述 第二导体层 延伸到所述通道内并被覆其壁,另包含以投影光蚀 刻版法 对所述第二导体层施作图案之步骤,使所述通道与 至少部 份第二导体层电隔离,后者为覆于至少所述抗蚀面 罩被去 除之所述区域之部份上。15.如申请专利范为第12 项之方法,其另包含沈积一导体 物质层于所述通道之倾斜壁上而与所述导体层接 触之步骤 ,所述壁之倾斜度经选择使导体物质之沈积具有大 致均匀 宽度。16.如申请专利范围第12项之方法,其中所述 蚀刻包含反 应性离子蚀刻。17.如申请专利范围第12项之方法, 其中所述通道对所述 导体层平面之倾斜角为在约15至45之范围内。18. 如申请专利范围第12项之方法,其中所述通道形成 一 |
