OPTICALLY COMPENSATED BIPOLAR TRANSISTOR.

摘要

Un procédé permet de compenser thermiquement un transistor bipolaire (601) par renforcement optiquement induit de la densité en porteurs. L'énergie optique de sortie d'une source photonique (602) orientée vers le transistor bipolaire (601) à compenser varie en fonction de la sortie d'un capteur de température (605). Des photons (603) qui incident sur la surface semi-conductrice entraînent des variations de la concentration de porteurs supplémentaires qui maintiennent le potentiel de la jonction du transistor bipolaire (601) à un niveau prédéterminé.