SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A SLIGHTLY DOPED SILICON LAYER WITH A PIN DIODE STRUCTURE.

摘要

Un élément semiconducteur connu qui forme une photodiode p-i-n a une structure en gauffrette, dans laquelle une zone p est agencée au-dessus d'une zone intrinsèque et une zone n est agencée au-dessous de la zone intrinsèque. Un photocourant correspondant à l'incidence de lumière peut être prélevé au moyen de contacts métalliques agencés à l'extérieur des zones p et n. Afin de développer l'élément semiconducteur à structure de diode p-i-n- de façon à obtenir un modulateur électrooptique, la structure de diode p-i-n est formée de deux zones (4, 5) mutuellement espacées du même côté (3) de la couche de silicium (1), qui se caractérisent par un dopage différent, et un guide d'ondes optique (2) est agencé dans la zone intrinsèque entre les zones (4, 5). Cet élément semiconducteur peut être utilisé comme modulateur électrooptique.