| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有布线层的半导体器件，包括：半导体衬底31、51、71、91和111；具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112，所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117，并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀的物质。 | ||
| 申请公布号 | CN1068444A | 申请公布日期 | 1993.01.27 |
| 申请号 | CN92105500.5 | 申请日期 | 1992.07.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李相忍;洪正仁;朴钟浩 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/90;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 杨国旭 |
| 主权项 | 1、一种具有布线层的半导体器件，包括：半导体衬底(基片)31、51、71、91和111；具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112，所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117，并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀物的物质。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||