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Dispositif de production de plasma à hyperfréquence et procédé servant à constituer une couche plate à résonance de cyclotron électronique (ECR) dans ledit dispositif. Le dispositif comprend une chambre à plasma (1) servant à produire le plasma, une chambre de réaction (3) possédant une platine (7) sur laquelle un spécimen (S) est traité avec le plasma, des moyens d'alimentation en gaz (1g) servant à alimenter la chambre de production de plasma en gaz, des moyens de création d'un champ électrique à hyperfréquence dans les chambres à plasma et de réaction, ainsi que des moyens (C1, C2, C3) servant à créer un champ magnétique dans les chambres à plasma et de réaction. Le champ électrique à hyperfréquence et le champ magnétique possèdent des composantes se croisant perpendiculairement. Le champ magnétique possède également une force décroissant dans un sens axial depuis la chambre à plasma vers la chambre de réaction, ainsi que des lignes de densité de flux magnétique à force constante, situées dans des plans sensiblement parallèles les uns par rapport aux autres et perpendiculaires audit sens axial, le champ magnétique produisant un état de résonance de cyclotron électronique (ECR). |
