| 摘要 |
L'invention se rapporte à un laser à diode à semi-conducteur à réaction répartie, qui comprend un substrat (12) d'arséniure de gallium à conductivité type N, comportant un canal (18) le long de l'une de ses surfaces entre ses surfaces d'extrémités. Une première couche de placage (24) à l'arsénure de gallium et d'aluminium à conductivité type N est placée sur la surface du substrat. Cette première couche de placage remplit le canal et présente une surface plane. Une mince couche active (26) d'arséniure d'aluminium et de gallium non dopé est placée sur la première couche de placage et une couche d'espacement (28) d'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P est placée sur cette couche active. Une couche à treillis d'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P (30) est prévue sur la couche d'espacement et contient un treillis de second ordre (31), lequel s'étend en travers du canal prévu dans le substrat. Une seconde couche de placage à l'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P (32) est placée sur la couche à treillis et une couche de couronnement (34) à l'arséniure de gallium à conductivité type N est placée sur cette seconde couche de placage. Une région de contact à conductivité type P (36) s'étend à travers la couche de couronnement jusqu'à la seconde couche de contact et se trouve située au-dessus du canal prévu dans le substrat. Les contacts conducteurs sont établis sur la région de contact (42, 44) et sur une seconde surface du substrat. La composition et les épaisseurs de la couche active, de la couche d'espacement et de la couche à treillis sont conçues pour conférer au faisceau de sortie du laser à diode un angle de divergence relativement faible égal à 27° environ. |
