可控双球面锗单晶生长方法及模具

摘要

本发明涉及一种可腔双球面锗单晶生长的方法及模具，属半导体冶金晶体生长领域。本发明将锗金属和锗单晶籽晶分别装入公知的单晶生长设备中的模具的上石墨模2与下石墨模3之间和下模3下部的晶种室4内，经一段时间的晶种导引，模块热固直接生长出任意曲率半径的双球面单晶体。本发明具有工序简单，材料消耗低，光学质量高，无污染，成本低等优点，适用于生长双球面或单球面锗单晶体透镜毛坯。

主权项

1、一种可控双球面锗单晶生长方法及模具，其特征在于该方法是将锗金属和锗单晶籽晶分别装入单晶生长设备中的模具的上模2与下模3之间和下模3下部的晶种室4内，锗金属和锗单晶籽晶在单晶生长设备中冶炼，控制锗金属熔体的温度为937-987℃，熔体与锗单晶籽晶界面温度为937℃，锗单晶籽晶的温度为787-937℃，下模3与加热器1的位置相对移动速度为每小时0-5厘米，模具旋转速度为每分钟0-10转，经1-4小时晶种导引，模块热固直接生长出任意曲率半径的双球面单晶体。