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<P>L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant une couche d'interconnexion et son procédé de fabrication. <BR/> Selon l'invention, le dispositif comprend un substrat semiconducteur (31), une couche isolante (32) ayant une ouverture (33) et une première couche conductrice (37) sur la couche isolante, remplissant l'ouverture. La première couche conductrice ne produit pas de précipité de silicium lors du traitement thermique ultérieur éxécuté pour remplir le trou de contact avec la ratière de la première couche conductrice. Le dispositif peut comporter une deuxième couche conductrice (39) à surface planarisée, sur la première, pour améliorer la photogravure ultérieure. Une couche antiréfléchissante (40) peut être formée sur la deuxième couche conductrice pour empêcher des réflexions indésirables pendant la photogravure. De préférence, une couche forme barrière contre la diffusion (34) sous la première couche conductrice, sur le substrat, sur la couche isolante et sur la surface de l'ouverture, empêchant une réaction entre première couche conductrice et substrat.</P>
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