| 摘要 |
<p><P>L'invention concerne un dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et quiest attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande. <BR/> Selon l'invention, il comprend une première plaque isolante (12), une première électrode principale (13S) en un matériau conducteur, connectée à un point externe à un potentiel constant, une seconde électrode principale (13D) en un matériau conducteur, disposée sur la première plaque isolante et espacée de la première électrode principale et connectée au circuit de charge, une seconde plaque isolante (20) sur la première électrode principale, une électrode de commande ( 13G) en un matériau conducteur sur la seconde plaque isolante, une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension (14) montée sur la seconde électrode principale, un fil ( 17S) reliant la pastille de semiconducteur et la première électrode principale et un fil (17G) reliant la pastille de semiconducteur et l'électrode de commande. <BR/> L'invention s'applique notamment aux transistors à effet de champs.</P></p> |
