金属双晶及三晶体的生长技术和装置

摘要

本发明金属双晶及三晶体的生长技术和装置。本发明是一种Bridgmen方法生长金属双晶和三晶的技术和装置包括原料制备，晶体生长及退火，使用5N原料，清洗处理后杂质含量低于100PPM，退火温度为800～1000℃，时间10～12小时，其特征在于生长时坩埚不动只移动温场，温场的纵向温度递度15～20％/cm，移动速度为0.5～2毫米/分钟。实施本发明所用装置包括传动机构，控温机构，保温机构及坩埚。其特征在于所用坩埚是由不同功用结构件组合而成。具有使用方便，寿命长，仔晶和晶体易于装卸、双晶和三晶的晶体学参数易于控制等优点。

主权项

1、一种Bridgman方法生长金属双晶或三晶的技术，包括原料制备、生长及退火，其中，使用5N原料，清洗处理后杂质含量低于100PPM；晶体退火温度为800～1000℃，时间10～12小时，其特征在于：a、严格选择仔晶，精确设定晶界取向；b(在低温550℃长时间(24～72小时)对籽晶进行退火处理)退火温度为接近晶体熔点的高温区。c、用酸或碱溶液剥去籽晶外的氧化层，再用乙醇或丙酮清洗、最后用去离子水处理。d、双晶或三晶生长时坩埚不动，只移动温场，温场纵向温度梯度为15～20度/厘米，移动速度为0.5-5毫米/分钟。