发明名称 STAIRCASE SIDEWALL SPACER FOR IMPROVED SOURCE/DRAIN ARCHITECTURE.
摘要 On réalise une intercalation en forme d'escalier sur une paroi latérale de circuit intégré en corrodant de manière sélective une couche de nitrure conforme recouvrant une couche d'oxyde conforme puis en corrodant la couche d'oxyde. Ladite intercalation est utilisée pour aligner les régions de source et de drain lors de l'implantation. L'étendue des régions n-/n+ et/ou p-/p+ implantées dans le substrat peut être contrôlée avec précision en raison des tolérances dimensionnelles étroites obtenues par l'empreinte de l'intercalation. On peut ensuite utiliser les profilés de source et de drain, avec du polysilicium élevé et du polysilicium élevé subissant une salification postérieure.
申请公布号 EP0521947(A1) 申请公布日期 1993.01.13
申请号 EP19910906458 申请日期 1991.03.11
申请人 SEMATECH, INC. 发明人 MANUKONDA, V., REDDY;SEIDEL, THOMAS, E.
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址