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发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP0323158(B1) 申请公布日期 1993.01.13
申请号 EP19880312218 申请日期 1988.12.22
申请人 HITACHI, LTD. 发明人 YOSHIMURA, TOSHIYUKI;IGURA, YASUO;TAKEDA, EIJI;MATSUOKA, HIDEYUKI
分类号 H01L29/205;H01L21/338;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/80;H01L29/812 主分类号 H01L29/205
代理机构 代理人
主权项
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