CVD plasma igniting procedure and device.

摘要

Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Zünden von Mikrowellenplasmen beschrieben, daß wirtschaftlich ist und bei der in der Reaktionskammer keine unerwünschten Reaktionsprodukte die Qualität der Beschichtung beeinträchtigen. Das Plasma wird gasausgangsseitig der Reaktionskammer mittels einer zumindest kurzzeitlich angelegten Hochspannung gezündet. Zum Einsatz kommen Hochspannungsimpulse oder niederfrequente Hochspannungen mit Frequenzen im Bereich von 10 bis 100 kHz. Die Hochspannung ist mit den Mikrowellenimpulsen synchronisiert. Gemäß einem weiteren Verfahren werden die Mikrowellenimpulse zumindest zu deren Beginn kurzzeitig überhöht. Auch periodische Überhöhungen der Mikrowellenimpulse sind möglich. Eine schaltbare Hochspannungsquelle 8a, 8b ist an den Ausgang des Taktgenerators 7 angeschlossen, der Verzögerungsglied 6 und eine Stromversorgungseinheit 5 mit der Mikrowelleneinrichtung 4, 3, 2 verbunden ist. Der Ausgang der schaltbaren Hochspannungsquelle 8a, 8b liegt an der Gasableitung 10 der Reaktionskammer 1 an. <IMAGE>