| 主权项 |
1.一种晶圆减料系统,所述系统包括含:供确定厚度 轮廓 资料供所述晶圆之装置;供产生一所述晶圆驻时对 定位图 之装置,所述图系由所述厚度轮廓资料产生;及供 由所述 晶圆减料之装置,所述减料装置系依据所述驻时对 定位图 予以控制。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆减 料系统,其中所述 厚度轮廓确定装置包括一全表面干扰计。3.如申 请专利范围第1项所述之晶圆减料系统,尚包括供 投送一个以上之晶圆至所述厚度轮廓确定装置之 装置。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆减料系 统,尚包括继 所述减料之后供确定厚度轮廓资料之装置。5.如 申请专利范围第1项所述之晶圆减料系统,尚包括: 供输送一个以上之晶圆离开所述减料装置之装置 。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆减料系统,其 中所述 产生装置包括供将所述厚度轮廓资料由预选之轮 廓资料中 减去俾所述驻时对定位图代表一具所述预选轮廓 之表面之 装置。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆减料系 统,其中所述 供减料之装置包括:电浆化学腐蚀室,具有一平台 供接受 所述晶圆;供产生一种电浆于所述室内之装置;及 供依据 所述驻时对定位图控制所述电浆之驻时及位置之 装置。8.一种供薄化矽在绝缘体上之晶圆之系统, 所述系统包含 :供确定所述晶圆上一绝缘体上方一矽膜之厚度轮 廓资料 之装置;供产生一所述矽膜驻时对定位图之装置, 所述图 系由所述厚度轮廓资料产生;及供由所述膜减料之 装置, 所述减料装置系依据所述驻时对定位图予以控制 。9.如申请专利范围第1项之晶圆减料系统,其中所 述产生 装置包括供将所述厚度轮廓资料由预选之轮廓资 料中减去 俾所述驻时对定位图代表一具所述预选轮廓之表 面之装置 。10.如申请专利范围第9项之晶圆减料系统,其中 所述预选 轮廓资料系一常数,如此所述矽膜相对于所述绝缘 体薄化 |
