| 发明名称 |
DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE COUCHE DE NITRURE ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN TEL DISPOSITIF. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2654259(B1) |
申请公布日期 |
1993.01.08 |
| 申请号 |
FR19900002524 |
申请日期 |
1990.02.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KIM SUNGTAE;CHOI SOOHAN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/94;(IPC1-7):H01L29/94 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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