VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES METALL-HALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTORS UND DADURCH HERGESTELLTER TRANSISTOR.,申请号DE19863686089T-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES METALL-HALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTORS UND DADURCH HERGESTELLTER TRANSISTOR.
摘要
申请公布号	DE3686089(T2)	申请公布日期	1993.01.07
申请号	DE19863686089T	申请日期	1986.05.09
申请人	SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., OSAKA, JP	发明人	NAKAJIMA, SHIGERU C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO, KONOHANA-KU OSAKA-SHI OSAKA-FU, JP
分类号	H01L29/812;H01L21/265;H01L21/337;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/28;H01L29/80	主分类号	H01L29/812
代理机构		代理人
主权项
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