| 摘要 |
<p>L'invention concerne une diode à avalanche formée dans un circuit intégré bipolaire comprenant, dans une couche N (20), une première région P (22), une région N (21) disposée à l'intérieur de la première région de sorte que la portion de la première région disposée sous la région N et au voisinage de l'interface avec celle-ci présente un premier niveau de dopage, une deuxième région P (23) s'étendant sous la région N avec un deuxième niveau de dopage supérieur au premier au voisinage de la jonction, et une troisième région P (30) disposée sous la région N et débordant par rapport à la deuxième région P, cette troisième région ayant au niveau de son interface avec la région N un niveau de dopage intermédiaire entre les premier et deuxième niveaux de dopage. <IMAGE></p> |
