发明名称 制备光记录体的方法
摘要 一种制备光记录体的方法,包括在一基片上形成一薄的包括至少一低熔点金属,碳和氢的光记录薄膜,并在所述的基片上,在70°至300℃温度下加热这样形成的薄膜至少5秒时间。这样制备的光记录体具有强化了的记录灵敏度和延长的使用寿命。
申请公布号 CN1019702B 申请公布日期 1992.12.30
申请号 CN88108027.6 申请日期 1988.11.19
申请人 三井石油化学工业株式会社 发明人 黑岩光之;山浩二;樋端久冶
分类号 G11B7/24;G11B7/26 主分类号 G11B7/24
代理机构 上海专利事务所 代理人 徐志奇
主权项 1.一种制备包括基片和载持在所述的基片上的光记录薄膜的光记录体的方法,其特征在于所述的光记录体通过在所述的薄膜上由能量束的辐照形成改变了物理构造或光学性质的区段而能记录信息,因此所述的改变了的区段的排列可相应于要被记录的信息,该方法包括在所述的基片上形成一薄的包括作为基本元素的一低熔点金属元素、碳和氢的光记录薄膜,而所述的低熔点金属元素的成分在光记录薄膜中的含量为40-90%(原子),及在70°至300℃、低于所述光记录薄膜和基片材料的熔点温度下,在5秒至1000分钟的时间内,在所述的基片上热处理这样形成的薄膜。
地址 日本东京都