| 摘要 |
Diode laser comprenant un guide d'onde plan optiquement actif (206; 306) et une échelle à réseau d'indices de réfraction de volume (200; 300) destinée à fournir au guide d'onde le retour optique distribué du rayonnement stimulé. Dans cette invention, l'échelle à réseau comprend un empilement de minces couches alternées (202; 302) (dont l'épaisseur est inférieure à 300 nm) de deux matériaux ayant des indices de réfraction différents. Au moins un des côtés de l'empilement constitue une surface plane, lisse composée des bords respectifs de chaque couche de l'échelle à réseau. Le guide d'onde actif (206; 306) ainsi que le placage facultatif et les couches (208; 204; 308; 304) de l'hétérostructure de séparation-confinement (HSC) sont développés par croissance épitaxiale sur le dessus de la surface du réseau lisse, ceci ayant pour effet que les plans respectifs de ces couches sont sensiblement perpendiculaires aux plans respectifs des couches de réseau (202; 302). La surface lisse du réseau est avantageuse en ce qu'elle stimule la bonne croissance cristalline des couches développées suivantes de la structure de diode laser et réduit le nombre des sites de recombinaison non rayonnants. Dans un mode d'exécution préféré, le matériau du guide d'onde actif est une couche à plusieurs puits quantiques qui est constituée de couches alternées de p-Al0,7Ga0,3As et de P-Al0,5Ga0,95As, et les deux matériaux du réseau comprennent du AlxGa1-xAs, dans lequel x est compris entre environ 0,04 et 0,3, et du AlyGa1-y, dans lequel y est compris entre environ 0,4 et 0,8. |
