| 发明名称 |
COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SUBSTRATE AND GROWING METHOD |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH04369830(A) |
申请公布日期 |
1992.12.22 |
| 申请号 |
JP19910147199 |
申请日期 |
1991.06.19 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
YAMAMOTO MITSUO;YAMAMOTO TOMOO;TSUZUKI NOBUYORI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01S5/00 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
