发明名称 SOURCE LASER A SEMI-CONDUCTEUR MODULEE A FREQUENCE ELEVEE
摘要 Un laser semi-conducteur constitue une source monolithique dont l'intensité est modulée à une fréquence située dans le domaine des hyperfréquences, typiquement de 10-20 à 100 GHz. Il est basé sur le couplage des modes longitudinaux du laser, la modulation d'intensité étant donnée par le battement des différents modes du laser. L'optimisation et la commande du laser sont permises par une division de la cavité optique du laser en sections successives. L'invention s'applique notamment aux télécommunications.
申请公布号 CA1311820(C) 申请公布日期 1992.12.22
申请号 CA19890610656 申请日期 1989.09.07
申请人 ALCATEL N.V. 发明人 CHESNOY, JOSE
分类号 H01S5/062;H01S5/065;H01S5/125 主分类号 H01S5/062
代理机构 代理人
主权项
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