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发明名称 ANNEALING OF DEFECT CAUSED IN SEMICONDUCTOR DUE TO ION IRRADIATION
摘要
申请公布号 JPH04364029(A) 申请公布日期 1992.12.16
申请号 JP19910164979 申请日期 1991.06.10
申请人 NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> 发明人 NAKANISHI HIDEO;KANEDA MITSUMASU;WADA KAZUMI
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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