发明名称 |
DIRECT BONDING OF COPPER TO ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES. |
摘要 |
Un procédé de liaison directe d'une couche mince de cuivre sur un substrat en nitrure d'aluminium dopé à l'yttria consiste à traiter le substrat par préoxydation à température élevée afin de créer une couche mince de couverture en Al2O3, puis à procédér à un refroidissement à une température inférieure. Une feuille de cuivre d'une épaisseur comprise entre 1,0 et 4,0 microns et généralement perforée ou autrement poreuse est liée de manière eutectique directement sur le substrat selon le procédé connu mettant en oeuvre du cuivre à liaison directe (DBC). L'article obtenu présente une conductivité thermique élevée, une faible permittivité et une résistance mécanique élevée. La résistance à l'écaillage de la couche mince de cuivre sur le substrat en nitrure d'aluminium dépasse les résistances à l'écaillage obtenues auparavant dans l'industrie. |
申请公布号 |
EP0516819(A1) |
申请公布日期 |
1992.12.09 |
申请号 |
EP19920903174 |
申请日期 |
1991.12.20 |
申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
PAIK, KYUNG, WOOK;NEUGEBAUER, CONSTANTINE, ALOIS |
分类号 |
B32B9/00;B32B15/04;C04B35/581;C04B37/02;C04B41/00;C04B41/80;H05K1/03;H05K3/02;H05K3/38 |
主分类号 |
B32B9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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