REACTEUR DE DEPOT OU TRAITEMENT DE SURFACE

摘要

REACTEUR DE DEPOT OU TRAITMENT DE SURFACE L'invention concerne un réacteur de dépôt ou traitement de surface, notamment dépôt en phase vapeur CVD. Ce réacteur possède une chambre annulaire de réaction (CR) délimitée par deux parois tubulaires (1,2), notamment en quartz. Un premier ensemble de chauffage est agencé à l'intérieur de le paroi tubulaire (1) et un second ensemble de chauffage autour de la paroi tubulaire externe (2), ces ensembles étant commandés par des moyens de régulation thermique en vue d'assurer un profil longitudinal de température prédéterminé dans la chambre de réaction (CR). La phase gazeuse est distribuée à une extrémité longitudinale de la chambre (CR) par des conduits de répartition (18) et est aspirée à l'autre extrémité par des conduits de pompage (20). Les substrats (S), qui peuvent être en nombre très élevé, sont simultanément balayés par la phase gazeuse et la parfaits maîtrise de la distribution de température et de l'écoulement permet d'obtenir un traitement uniforme de type souhaité, identique pour tous les substrats.