| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING AN HIGH-PERFORMANCE INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5168072(A) |
申请公布日期 |
1992.12.01 |
| 申请号 |
US19900596839 |
申请日期 |
1990.10.12 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
MOSLEHI, MEHRDAD M. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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