| 发明名称 |
HIGH ELECTRON MOBILITY FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04342142(A) |
申请公布日期 |
1992.11.27 |
| 申请号 |
JP19910140722 |
申请日期 |
1991.05.17 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
HIRABAYASHI TAKAYUKI;KAMATA MIKIO |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/335;H01L21/338;H01L21/76;H01L29/423;H01L29/778 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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