发明名称 磁光记录介质
摘要 一种磁光记录介质在第二层磁性膜上叠上第一磁性膜层,该第一磁性膜层是主要以轻的稀土元素为稀土元素的稀土-过渡-金属非晶膜,该轻的稀土元素至少是一种从由Nd及Pr构成的一组元素中选出的元素,而第二种磁性膜层是至少一种从由Tb及Dy组成的一组元素中选出的稀土元素的稀土-过渡-金属非晶膜。第一层磁性膜的厚度(t1)与第二磁性膜的厚度(t2)的厚度比值(t1/t2)等于或小于0.5。该介质即有强克尔旋转效应又有强垂直方向的各向异性。
申请公布号 CN1019242B 申请公布日期 1992.11.25
申请号 CN90107062.9 申请日期 1990.08.20
申请人 国际商业机器公司 发明人 加藤喜峰;清水照久;高山新司;田中宏志
分类号 G11B11/10;G11B7/24 主分类号 G11B11/10
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 杨晓光
主权项 1.一种磁光记录介质,其特征在于:在一个基底上,在第二磁性膜层上层叠了第一磁性膜层,或在第一磁性膜上层叠了第二磁性膜层,第一磁性膜层是稀土-过渡-金属的非晶膜,其组成用通式(A1-aBa)I(FebCo1-b)mTn表示,其中A至少是一种从包括Nd和Pr的一组轻的稀土元素中选出的元素,B至少是一种从一组重的稀土元素中选出的元素,T至少是一种从一组用于增加抗腐性的过渡族金属元素中选出的元素,在百分比方面,0≤a≤0.5,0≤b≤1,10≤I≤50,50≤m≤90,0≤n≤15,以及I+m+n=100,第二磁性膜层是稀土-过渡-金属非晶膜,其组成用通式RxMyUz表示,其中R至少是一种从由Tb及Dy组成的一组元素中选出的元素,M至少是一种从由Fe及Cn组成的一组元素中选出的元素,U至少是一种从由增加抗腐蚀性的一组过渡族金属元素中选出的元素,在原子百分比上,15≤x≤35,65≤Y≤85,0≤z≤15,以及X+Y+Z=100,而且第一层磁性膜层的厚度(t1)与第二磁性膜层的厚度(t2)的比值(t1/t2)等于或小于0.5。
地址 美国纽约