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Viele Lasermeßverfahren zur Abtastung der Ladungsträgerdichte oder der Potentialverteilung im Innern eines Bauelements (IC) der Mikroelektronik basieren auf der sogenannten "backside-probing"-Technik, bei der die Laserstrahlung (LA) mit Hilfe eines konventionellen Mikroskopobjektivs von der Bauelementrückseite in die Ebene der spannungsführenden Komponenten (SK) fokussiert wird. Da die Bestrahlung durch das Substrat (SU) erfolgt, entsteht eine große sphärische Aberration, die die Ortsauflösung auf etwa 2 bis 4 µm begrenzt. Zur Erzeugung einer Sub-µ-Sonde im Substrat (SU) wird vorgeschlagen, eine aus einer Silizium-Grundplatte (GP, Brechungsindex n1), einer in einer Aussparung der Grundplatte (GP) liegenden Kugel (KU, Brechungsindex n2 < n1, Radius r2) und einer Silizium-Halbkugelschale (KS, Brechungsindex n1, Außenradius r1, Innenradius r2) bestehende Linse auf der polierten Rückseite (RS) des Bauelements (IC) anzuordnen. Bei geeigneter Wahl der Brechungsidizes und der Radien bilden die Linse und das Substrat (SU) eine als Zwei-Index-Luneburg-Linse wirkende optische Einheit, die ein einfallendes Parallelstrahlenbündel (LA) in einen im Innern des Substrats (SU) liegenden Punkt (LF) fokussiert. <IMAGE>
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