| 发明名称 | 干刻方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种干刻衬底表面的方法，其等离子体是下列气体的混合气体，(I)对衬底材料活性的气体，(II)惰性气体。衬底和活性气体离子间的反应生成物在衬底上的堆积由于惰性气体等离子体的离子而使它有效地去除，因此衬底的刻蚀速度未被降低。碳化硅SiC是本发明的等离子体刻蚀最适宜的对象，因为它难于用常规的干刻方法刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1066512A | 申请公布日期 | 1992.11.25 |
| 申请号 | CN92102953.5 | 申请日期 | 1992.03.21 |
| 申请人 | 株式会社岛津制作所 | 发明人 | 小枝胜;大野哲也 |
| 分类号 | G02B5/18 | 主分类号 | G02B5/18 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1、一种用等离子体源气体的等离子体刻蚀衬底表面的方法，其特征在于，包括下列气体的气体混合物作为源气体， (1)对于衬底物质活性的气体， (2)惰性气体。 | ||
| 地址 | 日本京都市 | ||