| 摘要 |
Un dispositif semi-conducteur est constitué d'un substrat et d'une couche active (5) de silicium disposée sur le substrat et dans laquelle sont formées les parties actives du dispositif. Une couche (3) de diamant est prise entre le substrat (1) et la couche active (5) et une couche (4) de dioxyde de silicium est prise entre la couche de diamant et la couche active. |
