发明名称 | 微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜 | ||
摘要 | 本发明提供了一种用化学气相沉积工艺沉积可用于光学及电学领域的金刚石薄膜技术。其特征在于工作气体中含有0.1—10%的高纯氧气,0.1—10%的高纯甲烷,剩余为高纯氢气,工作气体的压力为1—100τ,在金刚石膜沉积过程中微波功率为100—500瓦。本发明的优点在于工艺简单、重复性强,突破了金刚石薄膜的应用领域,可用于光学、电学领域。 | ||
申请公布号 | CN1066299A | 申请公布日期 | 1992.11.18 |
申请号 | CN91102584.7 | 申请日期 | 1991.04.28 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 杨保雄;吕反修;蒋高松;叶锐曾 |
分类号 | C23C16/26;C23C16/48 | 主分类号 | C23C16/26 |
代理机构 | 北京科技大学专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 1、一种沉积金刚石薄膜的制造方法,用在真空镀膜系统中微波等离子体化学气相沉积设备电离甲烷、氢和氧的混合气体,并在基片表面实际温度为200-600℃时沉积出细小晶粒(<2μ)的多晶金刚石薄膜,其特征在于工作气体中含有0.1-10%的高纯氧气,0.1-10%的高纯甲烷,剩余为高纯氢气,工作气体压力为1-100τ,在金刚石膜沉积过程中采用微波功率为100-500瓦,并采取改变基片在等离子体内及下方的位置,使基片温度明显降低的措施,使基片可以处于从激发等离子体中心至离开等离子体下表面直至垂直距离为3cm处。 | ||
地址 | 100083北京市学院路30号 |