| 摘要 |
<p>Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer festen, flächenhaften Verbindung zwischen zwei Wafer-Platten, von denen mindestens eine aus einem halbleitenden Material, wie z.B. Silizium, besteht. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: auf die gereinigte Oberfläche wenigstens einer Wafer-Platte wird ein Film mit einer Restfeuchte an Lösungsmitteln aufgebracht, der Silikate oder Phosphate enthält, die beiden Waferoberflächen, von denen wenigstens auf eine ein Film aufgebracht ist, werden zusammengefügt, die beiden Wafer werden im zusammengefügten Zustand bei Temperaturen kleiner als ca. 420 °C getempert.</p> |
