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发明名称
硅平面工艺中新的磷扩散技术
摘要
本发明革新了硅平面工艺中的磷扩散工艺,它用很低的温度淀积磷源,然后在适当高温下,在氧和氮气氛中对硅片进行氧化,完成杂质的再分布。这样不仅工艺简单、重复性好,而且能形成性能优良的PN结,提高了产品的成品率。
申请公布号
CN1065951A
申请公布日期
1992.11.04
申请号
CN91102309.7
申请日期
1991.04.13
申请人
武汉大学
发明人
陈炳若;何民才
分类号
H01L21/225
主分类号
H01L21/225
代理机构
代理人
主权项
1、一个进行磷扩散的新技术,其特征在于:将扩散分为二步,第一步进行磷源的予淀积,第二步推进扩散。
地址
430072湖北省武汉市武昌珞珈山
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