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Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid mit einer Kristallitgröße von 40 bis 60 nm und einer spezifischen Oberfläche nach BET von 21 bis 40 m²/g beschrieben, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man amorphes Siliciumnitrid und/oder amorphes Siliciumnitridimid in Oberflächenkontakt mit a) wasserdampfhaltigem Gas oder, b) wasserhaltigen Lösemitteln bringt und das oberflächenkontaktierte amorphe Siliciumnitrid und/oder amorphe Siliciumnitridimid unter Stickstoffatmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von mindestens 1 °C/Minute bis oberhalb der Kristallisationstemperatur von α-Siliciumnitrid, die oberhalb von 1100 °C liegt, aufheizt.
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