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<p>Um großflächige Substrate wirtschaftlicher und insbesondere in kürzerer Zeit mit Schichten versehen zu können, wobei die Schichten sowohl dichter als auch homogener sein sollen als bekannte Schichten, wird ein Verfahren beschrieben, bei dem ein zur Abscheidung befähigtes Reaktionsgas auf die zu beschichtende Fläche strömt und das Reaktionsgas mittels in einem Hohlleiter erzeugten Mikrowellen zu einem streifenförmigen Plasma angeregt wird. Hierzu wird ein im Querschnitt quadratischer Hohlleiter (1) verwendet, in dem zwei senkrecht zueinander polarisierte, stehende Wellen angeregt werden, die um eine Viertel Wellenlänge relativ zueinander verschoben sind. Die Ankupplung der Mikrowellen an das Plasma erfolgt über einen in einer der Kanten des Hohlleiters (1) eingebrachten Längsschlitz (6). Im Hohlleiter (1) sind zwei gekreuzte Mikrowellenpolarisatoren (4, 5) angeordnet, wobei der der jeweiligen Zuleitung (7, 8) benachbarte Polarisator für die eingespeisten Mikrowellen durchlässig und der von der jeweiligen Zuleitung (7, 8) entfernt angeordnete Polarisator (4, 5) für die eingespeisten Mikrowellen undurchlässig ist. Der Abstand zwischen der Abschlußwand (2, 3) und dem jeweils entfernt angeordneten Polarisator (4, 5) ist zur Ausbildung von stehenden Wellen gewählt. <IMAGE></p> |
