| 摘要 |
On produit à l'aide d'un processus spécial une tranche de silicium (2-8) dont l'un et/ou l'autre des côtés présente(nt) des structures superficielles dont les profondeurs ou les hauteurs sont différentes, ladite tranche étant destinée, par exemple, à s'intégrer à une micropompe. Afin de réduire le nombre d'étapes de photogravure dans un processus de production exigeant plusieurs étapes d'attaque ou de croissance, la tranche de départ (3) comporte une couche centrale (8) dont les deux faces sont revêtues de couches d'oxyde (9a, 10) dont les épaisseurs diffèrent. Dans une première phase du processus, on forme dans les deux couches d'oxyde (9a, 10) des cavités superficielles (12, 12a) traversant entièrement la couche moins épaisse (9b) mais n'atteignant pas la couche centrale (8) du côté de la couche d'oxyde plus épaisse (10a). Tandis que la première étape d'attaque ou de croissance sur la couche centrale (8) s'effectue sur la tranche (5) en n'attaquant que le côté de la couche centrale (8) qui porte la couche moins épaisse (9a) pendant que l'autre côté est toujours entièrement revêtu de la couche plus épaisse (10a, 10c), la seconde étape d'attaque ou de croissance sur la couche centrale (8) s'effectue une fois que l'on a réduit la couche plus épaisse (10a) de manière à mettre à nu ladite couche centrale (8) au niveau des cavités formées initialement (12a). De ce fait, les creux (14) formés au cours de ladite seconde étape d'attaque du côté de la couche d'oxyde initialement plus épaisse sont moins profonds. Dans le cas d'un processus de croissance, les premiers dépôts sont moins élevés que les creux (13) ou les dépôts formés de l'autre côté au cours des deux étapes d'attaque ou de croissance. |
