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Monolithisch integrierbare Freilauf-Transistoranordnung (FS), deren Durchlaßspannung steuerbar zwei unterschiedliche Werte annehmen kann. Sie umfaßt eine Freilauf-Transistorstruktur (FQ), bei der auf einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps eine bis zur Oberfläche des Halbleiterkörpers reichende epitaktische Schicht (2) von einem zweiten Leitungstyp vorgesehen ist, bei der zwischen epitaktischer Schicht (2) und Halbleitersubstrat (1) eine Buried-layer-Zone (3) vom zweiten Leitungstyp vorgesehen ist, bei der zwischen Buried-layer-Zone (3) und Oberfläche eine aktive Basiszone (4) vom ersten Leitungstyp und in der Basiszone (4) eine wannenförmige Emitterzone (5) vom zweiten Leitungstyp vorgesehen ist, bei der eine im Abstand von der Basiszone die Basiszone ringförmige umschließende Kollektorzone (6) vom zweiten Leitungstyp vorgesehen ist, die von der Oberfläche bis in die Buried-layer-Zone (3) reicht, bei der die Emitterzone (5) in einer wannenförmigen epitaktischen Schicht (7) eingebettet ist, die gegenüber der Emitterzone (5) schwächer dotiert und vom gleichen Leitungstyp ist, und bei der die wannenförmige epitaktische Schicht (7) von einer kontaktierenden Basiszone (8) vom ersten Leitungstyp ringförmig umgeben ist, die bis zur aktiven Basiszone (4) reicht, und die aktive Basiszone (4) zwischen epitaktische Schicht (7) und Buried-layer-Zone (3) angeordnet ist. Hierbei sind der Kollektoranschluß (11) und der Emitteranschluß (9) dieser Freilauf-Transistorstruktur (FQ) derart beschaltet, daß der Transistor (FQ) im Normalbetrieb betrieben wird und daß ein Beaufschlagen des Basisanschlusses (10) der Freilauf-Transistorstruktur (FQ) mit einem Strom eine niedrige Durchlaßspannung der Freilauf-Transistoranordnung (FS) bewirkt. <IMAGE>
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