| 主权项 |
1.一种能形成实质上尺寸安定制品之组成物,包含: a)存 在于组成物之分解淀粉,其重量占整个组成物之50 至90% ,及b)一种成分选自包含磺酸化苯乙烯的同元聚合 物,及 其盐类;苯乙烯及磺酸化苯乙烯的共聚物,及其盐 类;及 嵌段共聚物包括一段聚磺酸化苯乙烯及一段乙烯- 丙烯共 聚物,及其盐类;其中成分b具有分子量重量为2,000 及1, 500,000之间;其平均分子量是在10,000至400,000之间; 其取代度在10%至50%之间。2.如申请专利范围第1项 所述之组成物,其中成分b系金属 离子或铵离子之盐类,较佳为盐与钠、钾、镁或锌 及最好 是钠或锌盐。3.如申请专利范围第1项所述之组成 物,其中分解淀粉之 呈现量占全组成物重量之60%至90%。4.如申请专利 范围第1项至第3项中任一项所述之组成物, 其中分解淀粉之水含量占全淀粉重量之5%至40%,较 佳为 10%至22%。5.一种能形成实质上尺寸安定制品之组 成物,包含:a)存 在于组成物之分解淀粉,其重量占整个组成物之50 至90% ,及b)一种化合物选自包含磺酸化苯乙烯的同元聚 合物, 及其盐类;苯乙烯及磺酸化苯乙烯的共聚物,及其 盐类; 及嵌段共聚物包括一段聚磺酸化苯乙烯及一段乙 烯-丙烯 共聚物,及其盐类;c)乙烯聚合物,聚苯乙烯,聚丙烯 ,聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯,聚缩醛,聚芳醚,热 塑 性聚醯亚胺,实质不溶水或不结晶之烷撑氧化物, 烷撑/ 乙烯酯共聚物,烷撑/丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯共 聚物, 苯乙烯/丙烯 共聚物,烷撑/顺丁烯二酐共聚物,部 分 水解之聚丙烯酸酯及聚甲基丙烯酸酯共聚物部分 水解之聚 丙烯酸酯及聚甲基丙烯酸酯及部分水解之丙烯酸 酯及聚甲 基丙烯酸酯共聚物,丙烯酸酯/丙烯 共聚物及其水 解物 ,丙烯醯胺/丙烯 共聚物,醯胺-醚类,醯胺-酯类之 嵌段共聚物,胺基甲酸酯-酯类之嵌段共聚物及其 混合物 。其中成份b)及c)占整个组成物重量10至50%。6.如 申请专利范围第5项所述之组成物,其中成分c选自 聚 乙烯,聚丙烯,聚异丁烯,聚氨乙烯,聚醋酸乙烯酯, 聚 苯乙烯,聚醯胺,聚酯聚胺基甲酸酯,聚碳酸酯,聚烷 撑 对 酸酯及其混合物。7.如申请专利范围第5项所述 之组成物,其*****中成分c 选自乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(EVA);乙烯/乙烯醇共 聚 物(EVAU);乙烯/丙烯酸酯共聚物(EAA);乙烯/丙烯酸 乙酯共聚物(EEV)乙烯/甲基丙烯酸酯共聚物(EMA);苯 乙 烯/丙烯睛共聚物(SAN),乙烯/顺丁烯二酐共聚物,醯 胺-醚类,醯胺-酯类之嵌段共聚物;胺基甲酸酯-酯 类 之嵌段共聚物及其混合物。8.如申请专利范围第1 或5项任一项所述之组成物,其中尚 含一种或多种添加剂,选自辅剂,0.02-50%填充料,0.1- 5%润滑剂,脱横剂,0.5-15%助塑剂,发泡剂,安定剂, 增量剂,化学改质剂, 0.5-5%流动促进剂,0.001-1%着色剂,0.001-1%颜料及其 混合物。9.如申请专利范围第1或5项任一项所述之 组成物,系熔融 掺合体。10.如申请专利范围第1或5项任一项所述 之组成物,系冷 却之固化掺合体。11.如申请专利范围第10项所述 之组成物,呈小粒,粗粒 或切粒之形状。12.一种无质上尺寸安定之热塑性 分解淀粉产物,其系使 用如申请专利范围第1或5项任-项所述之组成物,并 经由 下列方法制得:1)提供淀粉和一种化合物系选自包 含苯乙 烯磺酸聚合物,苯乙烯磺酸共聚物,及其盐类,该化 合物 之用量能有效地增强制品之物性;2)在足够的温度 及压力 下,于密闭体积中加热该混合物足够长的时间,使 得该淀 粉分解,而形成实质均之熔体;3)使该熔体成形而得 制品 ;及4)使该成形品冷却至得实质上尺寸安定之热塑 性产品 。13.如申请专利范围第12项所述之产物,其中淀粉 之分解 系在其熔点及玻璃转移点以上之温度进行。14.如 申请专利范围第12项所述之产物,其中淀粉之分解 系在105℃至240℃,较佳为130℃至190℃进行。15.如申 请专利范围第14项所述之产物,其中熔体之形成 系在所用之温度下能避免水蒸气产生之最小压力 在150 105牛顿/米2之压力范围内进行。16.如申请专 利范围第14项所述之产物,其中保持温度及 压力直到淀粉刚好在进行氧化及热降解之吸热改 变行为之 前,进行特殊的狭吸热转移。17.如申请专利范围第 12项所述之产物,呈颗粒,切粒或 粉末之形状。18.一种含淀粉熔体,其系使用如申请 专利范围第1或5项 任一项之组成物,并经由下列方法制得:1)提供淀粉 和一 种化合物,选自包含苯乙烯磺酸聚合物,苯乙烯磺 酸共聚 物,及其盐类;2)在足够的温度及压力下,于密闭体 积中 加热该混合物足够长的时间,使淀粉分解,而形成 熔体。19.如申请专利范围第18项所述之熔体,其中 淀粉的分解 系在105℃至240℃,较佳为130℃至190℃之温度进行。 20.如申请专利范围第19项所述之熔体,其中熔体之 形成 系在所用之温度下能避免水蒸气形成之最小压力 在150 105牛顿/米2之压力范围内进行。21.如申请专 利范围第20项所述之熔体,其中保持温度及 压力直到刚好在产生氧化及热分解之吸热改变行 为之前 |
